在硕士研究生的课程学习中，学习成绩名列前茅，首修规格化平均成绩为84.06，名次为年级第24名（前20%）。申请人在平时学习生活中，热爱思考，善于从原理出发来解决工程项目和学术研究中遇到的问题。
科研方面，围绕自旋磁随机存储器MRAM模拟域存内计算的关键科学问题——有限的隧穿磁阻比，首次提出利用锁存放大隧穿磁阻比TMR的阵列结构，并对外围电路进行创新设计，采用反馈电流镜减少模拟计算中的非线性。该工作发表于IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 69, no. 4, pp. 1519-1531, 2022（学生一作，SCI期刊），申请国家发明专利1项（学生一作，受理）。上述工作发表半年内获4次他引，新加坡国立大学IEEE fellow Alioto Massimo评价该工作：首次讨论了MRAM存内计算在电路级应用中的挑战。此外，研究生期间完成1次国际会议口头报告（AICS2021），参与完成1篇SCI期刊论文（Micromachines 12 (5), 551, 2022, 第三作者）、2篇IEEE国际会议论文（ICTA，NANOARCH）。
项目方面，针对MRAM关键电路设计方法单一、可靠性与良率指标不能满足应用需求的问题，基于国产工艺定制了自旋转移力矩STT-MRAM阵列与关键电路，依据国内最大的J用存储器研制单位的任务需求设计高可靠性MRAM并完成流片，用于一次雷达闪存的国产替代。申请人担任技术骨干，负责存储阵列的设计和实现，创新提出了双电压域非对称写入的方法，有效减小写操作过程中的击穿风险，提高低温下的写良率。上述MRAM通用设计方法已申请国家发明专利1项（学生一作，受理）。
实践创新方面，申请人负责“磁旋科技”项目，在第十二届“挑战杯”江苏省大学生创业计划竞赛，获得江苏省银奖。申请人参与的“磁微科技”在2022年度“金种子”孵育项目中获评五星级项目称号。
在研究生期间我思想积极上进，在东南大学电子学院提供的科研平台上，在科研能力、实践能力、创新能力等方面取得长足发展。有幸获得研究生国家奖学金，以此为激励，以更坚定的信念投入到后面的学习和科研中。