我是东南大学微电子学院的一名2019级博士研究生。经过一年的努力，我很荣幸的获得由立芯微设立的“奖学金”这个荣誉。立芯微是一家致力于电源模拟芯片研究的公司，在模拟集成电路领域深耕近二十年，拥有强大的研发团队，具有丰富的设计经验和技术积累，并通过高效的研发体系，丰富的核心技术和模块IP，形成强大的研发能力及整体方案解决能力，是国家重要的集成电路产业化基地。很感谢公司为品学兼优的学生设立的这项奖学金制度，对于广大研究生来说，是对在学习和科研上热忱度上的一种激励和鼓舞，使我们在学习和科研上不敢有丝毫的懈怠。我在硕士及博士期间，以优异的成绩顺利完成了各阶段的学习任务。在科研方面，一直从事半导体功率器件与集成工艺技术方向的研究，参与了多个科研项目，其中包括BCI项目、1200V项目、SIC全集成项目，并取得了一定的科研成果。对于今后的发展计划，主要分为两个时间段：读博期间和博士毕业后。读博期间：1) 继续当前的科研项目，通过科研创新完成相应的项目指标。2) 了解和学习当前宽禁带半导体的前沿技术，并在宽禁带功率器件领域有所拓展和创新。毕业后：去高校或者研究所就业，继续从事集成电路方面的研究，为推动中国集成电路技术的发展贡献一份力量。研究内容及成果围绕全集成单片智能功率芯片所需的绝缘体上硅（SOI）器件与工艺瓶颈技术，申请人所在课题组提出了多种创新型技术，相关指标达到了国际领先水平，具体如下：（1） 提出了一种深氧化沟槽电压平台控制技术，该技术可在器件关断期间大幅降低电压平台时间，同时与传统结构相比降低了59.2%的关断损耗。（2）提出了一种U型SOI-LIGBT di/dt控制技术，通过将平面栅分成两个栅极G1和G2，,抑制了位移电流对栅极电压的影响，消除了栅极过冲；与传统结构相比，在相同的开启损耗条件下，di/dt降低了74%。（3） 分析了SOI-LIGBT的短路失效原因，指出了短路失效的机理，通过改变沟槽位置及电位来提高短路能力。上述新型技术均已申请发明专利或发表在国际权威期刊我所在课题组与无锡华润上华半导体有限公司合作开发了国内首个550V高压SOI Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT（BCDI）工艺平台，所研发的高压SOI-LIGBT器件性能已领先于国外同类产品。已于2022年初步向客户开放，服务于国内功率半导体芯片设计公司。